SK하이닉스(대표 박성욱)는 세계 처음 20나노급 8기가비트(Gb) DDR4 모듈을 개발하고, D램 모듈로는 최대 용량인 128기가바이트(GB)를 구현했다고 7일 밝혔다.

SK하이닉스는 내년 상반기 본격 양산에 착수할 예정이다. 차세대 서버용 D램 시장에서 기술 리더십을 확보할 것으로 기대된다.

회사는 두 개 이상의 칩을 수직 관통해 전극을 형성하는 ‘실리콘관통전극(TSV)’ 기술을 활용해 기존 DDR 모듈 최대 용량 64GB의 두 배에 이르는 128GB 용량을 구현했다. TSV는 반도체 성능을 높이면서 크기는 줄일 수 있는 차세대 공정 기술이다.

데이터 전송 속도는 이전 세대 제품인 DDR3의 1333Mbps보다 1.5배 넘게 빠른 2133Mbps다. 이 제품은 64개 정보입출구(I/O)를 가진 모듈로 초당 17GB 규모 데이터를 처리할 수 있다. 데이터 전송 속도와 용량은 높아졌지만 동작 전압은 기존 DDR3의 1.35V에서 1.2V로 낮아졌다.

SK하이닉스는 8Gb DDR4 기반 64GB 모듈에 이어 128GB까지 세계 최초로 연속 개발하는 성과를 이뤘다고 설명했다. 128GB DDR4 모듈 개발로 앞으로 서버용 D램 시장에서 기술 우위를 지킬 수 있을 것으로 기대했다.

시장조사 업체 가트너에 따르면 서버용 D램 시장은 오는 2018년까지 연 평균 37%에 이르는 고성장을 이어갈 것으로 예상된다. DDR4 D램은 올해 고객사 인증을 거친 뒤 내년부터 본격 출하돼 2016년 이후 서버용 D램 시장에서 주력 제품으로 자리잡을 전망이다.

SK하이닉스는 내년 상반기 본격 양산에 앞서 주요 고객사에 샘플을 먼저 제공하기로 했다. 홍성주 SK하이닉스 D램 개발본부장(전무)은 “세계 최초로 128GB DDR4 모듈을 개발해 초고용량 서버 시장을 열어간다는 데 의의가 있다”며 “향후에도 고용량·초고속·저전력 제품을 지속적으로 선보여 프리미엄 D램 시장을 주도해 나가겠다”고 말했다.

전자신문, 2014년 4월 7일, 이호준기자