2020.09.14 20:49
| IP 명칭 | 반도체 장치 내 배선 구조체의 테스트 방법 및 테스트 장치 |
|---|---|
| 권리자 | 에스케이하이닉스 주식회사ㆍ 한양대학교 에리카산학협력단 |
| 발명자 또는 창작자 | |
| 출원번호 | 10-2016-0031264 |
| 공개번호 | |
| 등록번호 | 10-2057280 |
| 출원일 | 2016-03-16 |
| 공개일 | |
| 등록일 | 2019-12-12 |
| IP 분야 | 전자통신소자 |
| 응용 분야 및 용도 | |
| 설명 및 특징 | 본 발명의 실시예에 따르면, 테스트 신호로서 적어도 하나 이상의 과도 전류 펄스를 사용함으로써, 상기 과도 전류 펄스에 의해 반도체 장치의 미세배선 구조체들에서 나타나는 결함으로부터 고장을 유도하고, 그에 따라, 출력된 테스트 응답 신호가 감쇄, 지연 또는 마스킹되는 것을 분석하여, 상기 미세 배선 구조체의 결함을 고감도로 검출할 수 있으며, 공정 변화에 민감하지 않기 때문에, 서로 다른 테크놀로지 노드에 속하는 반도체 칩들의 결함 검출이 가능하고, 프리-본드 테스트와 포스트-본드 테스트에 모두 적용 가능한 고집적 반도체 장치의 테스트 방법이 제공될 수 있다. |
| IP 핵심 키워드 | |
| 종래 기술과의 차이점 | |
| 사업성 또는 시장성 | |
| IP 실현단계(TRL) | 사업화 |
| IP 거래 형태 | 매입 |
| IP 거래 희망 시기 | 협의 |
| 거래 희망 금액 | 협의 |
| IP 거래 조건 | 협의 |
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