■CXMT, 선단 HBM·DDR5 개발 속도
1일 반도체 업계 및 증권가에 따르면, CXMT는 올해 말까지 고객사에 4세대 HBM인 HBM3 샘플을 제공하고, 내년부터 본격 양산에 나설 계획이다. HBM3E(5세대) 또한 오는 2027년 개발을 목표로 하는 로드맵을 설정했다. CXMT는 당초 2026년 HBM2 개발이 목표였으나, 올해 중반까지 소규모 생산을 시작하기로 하는 등 HBM 개발 및 양산 로드맵을 앞당기고 있는 것으로 보인다. 일부 고객사에는 HBM2 제품 샘플도 제공한 상태다.

CXMT는 HBM 생산 능력도 확충하고 있다. 삼성전자가 지난해 말 반도체 웨이퍼 기준으로 월 15만 장 정도의 HBM 생산 능력을 가지고 있는데, CXMT는 오는 4·4분기까지 HBM 전용 생산 능력을 월 5만 장 수준으로 확대할 계획이다.

CXMT는 DDR4와 같은 주력 레거시(범용) 제품 대신 고부가가치 D램으로의 전환에도 더욱 집중하고 있다. 올해 말 전체 D램 출하량에서 DDR5 제품이 차지하는 비중은 60%에 이르도록 할 계획이다. 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론 메모리 3강이 저가 물량 공세로 수익성이 악화된 DDR4의 생산을 점진 중단하고 있는 가운데, CXMT도 3·4분기부터 고객사들에게 생산 중단 통지를 내보낼 것이란 관측이 따른다.

■물량공세&기술격차 좁히기
CXMT의 선단 공정 수율이나 패키징 등 기술은 현재로선 국내 메모리사에 크게 못미치고 있으나, 추격의 속도가 빠르다는 게 반도체 업계 분위기다. CXMT는 지난해 세계 D램 시장 점유율 5%를 차지하면서 삼성전자·SK하이닉스·마이크론의 메모리 과점 체제에 균열을 내고 있는 상황이다. 국내 메모리사는 HBM, DDR5 등 K-반도체의 주력 제품에까지 중국 업체의 추격을 용인할 수 없다는 분위기로, 총력을 다하고 있다.

SK하이닉스는 HBM4(6세대) 12단 샘플을 세계 최초로 주요 고객사들에 조기 공급했고, 올해 하반기부터 본격 양산에 나설 계획이다. 삼성전자는 자체 개발 중인 차세대 10나노(1㎚=10억분의 1m) 1c D램 수율 제품의 수율을 개선하고, 향후 HBM4(6세대) 등 최첨단 제품의 생산 기반을 빠르게 다지고 있다. 평택 4공장을 중심으로 선제적인 설비 투자도 이뤄지고 있는 것으로 파악된다.

다만 빠른 투자 속도와 정책 지원을 고려할 때 CXMT의 추격을 무시할 순 없는 상황이다. 특히 CXMT의 공격적인 고부가 D램 전환이 결국 시장 내 범용 D램 가격에 압력을 가하고, 국내 기업의 수익성에도 부담을 가할 수 있다. 업계 관계자는 "첨단 공정에서도 CXMT가 기술력을 갖추고 제품을 양산하기 시작한다면, 물량 공세 등으로 제품 가격력을 떨어뜨려 국내 기업들 수익성에 부정적인 영향을 미치게 될 것"이라고 말했다.

파이낸셜 뉴스