| IP 명칭 | 3차원 낸드 플래시 메모리 소자 및 이의 제조 방법 |
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| 권리자 | 에스케이하이닉스 주식회사ㆍ 충남대학교산학협력단 |
| 발명자 또는 창작자 | |
| 출원번호 | 10-2018-0046965 |
| 공개번호 | |
| 등록번호 | 10-2123545 |
| 출원일 | 2018-04-23 |
| 공개일 | |
| 등록일 | 2020-06-10 |
| IP 분야 | 전자통신소자 |
| 응용 분야 및 용도 | |
| 설명 및 특징 | 본 발명의 일 실시예에 따르면, 국지적 산소 공공을 포함하는 금속 산화물을 셀 트랜지스터의 채널층으로서 활용함으로써, 균일한 특성의 메모리 셀들을 가지며, 향상된 전자 이동도에 의해 셀 전류의 크기를 향상시킴으로써, 고속 및 저전력 구동이 가능한 3차원 낸드 플래시 메모리 소자가 제공될 수 있다. 또한, 실리콘 나노 결정을 포함하는 데이터 저장막을 포함함으로써, 멀티레벨 셀의 구현이 가능하여, 저장 용량이 향상된 3차원 낸드 플래시 메모리 소자가 제공될 수 있다. |
| IP 핵심 키워드 | |
| 종래 기술과의 차이점 | |
| 사업성 또는 시장성 | |
| IP 실현단계(TRL) | 사업화 |
| IP 거래 형태 | 매입 |
| IP 거래 희망 시기 | 협의 |
| 거래 희망 금액 | 협의 |
| IP 거래 조건 | 협의 |
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