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특허실용신안 전이금속산화물 재료의 특성을 이용한 차세대 비휘발성 모트 메모리 소자
2021.01.29 22:29
| IP 명칭 | 전이금속산화물 재료의 특성을 이용한 차세대 비휘발성 모트 메모리 소자 |
|---|---|
| 권리자 | 연세대학교 산학협력단 |
| 발명자 또는 창작자 | 박형호, 위 왕, 강경문, 김민재 |
| 출원번호 | 10-2019-0021767(분할) |
| 공개번호 | 10-2019-0065980 |
| 등록번호 | 10-2049687 |
| 출원일 | 2019년02월25일 |
| 공개일 | 2019년06월12일 |
| 등록일 | 2019년11월21일 |
| IP 분야 | 전자통신소자 |
| 응용 분야 및 용도 | 저항 변화 메모리 |
| 설명 및 특징 | 산화 가능한 제 1 전극; 상기 제 1 전극 상에 배치되며, 하기 화학식 1로 표시되는 페로브스카이트(perovskite) 결정 구조를 갖는 금속 절연체 전이를 발생시키는 저항 변화 물질층; 및 상기 저항 변화 물질층 상에 배치되는 제 2 전극을 포함하며, 상기 저항 변화 물질층 내의 산소 농도에 따라 상기 저항 변화 물질층의 저항 값이 조절되며, 상기 제 1 전극과 상기 저항 변화 물질층 사이의 계면에 산소 이동으로 에너지 장벽이 생성 또는 소멸되는 저항 변화 메모리 소자이다. # 화학식 1: AMO3 (여기서, A는 란탄계 원소이고, M은 전이 금속 원소이며, O는 산소원소임). |
| IP 핵심 키워드 | 페로브스카이트 결정 구조 |
| 종래 기술과의 차이점 | 저항 변화 메모리 소자의 포밍 처리를 대체함으로써, 포밍 처리 없이, 바로 리셋 처리가 진행될 수 있어 상기 포밍 처리에 필요한 고전압으로 인한 소자의 손상을 개선시킬 수 있고, 상기 메모리 소자의 동작 전압을 낮출 수 있으며, 차세대 메모리의 요구 조건인 저전력, 고성능 메모리 소자를 구현할 수가 있다. |
| 사업성 또는 시장성 | 저항 변화 메모리(ReRAM)는 간단한 금속-절연체-금속(metal-insulator-metal: MIM) 구조와 우수한 동작 특성을 갖는 차세대 비휘발성 메모리로서, 가장 주목을 받고 활발히 연구가 진행 되고 있다. |
| IP 실현단계(TRL) | 사업화 |
| IP 거래 형태 | 협의 |
| IP 거래 희망 시기 | 협의 |
| 거래 희망 금액 | 협의 |
| IP 거래 조건 | 협의 |
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