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특허실용신안 대면적의 전이금속 산화물 박막
2021.01.28 00:12
| IP 명칭 | 대면적의 전이금속 산화물 박막, 이의 제조 방법 및 이의 제조 장치 |
|---|---|
| 권리자 | 연세대학교 산학협력단 |
| 발명자 또는 창작자 | 이관형, 김종훈, 대쉬재티스쿠마 |
| 출원번호 | 10-2018-0087732 |
| 공개번호 | - |
| 등록번호 | 10-2058293 |
| 출원일 | 2018년07월27일 |
| 공개일 | - |
| 등록일 | 2019년12월16일 |
| IP 분야 | 전자통신소자 |
| 응용 분야 및 용도 | 전계효과 트랜지스터, 다이오드, 도펀트의 레저보어, 축전지의 충전 물질, 배터리의 음극물질, 태양 전 지 또는 발광 다이오드의 정공-주입층과 같은 다양한 반도체 소자 |
| 설명 및 특징 | 반데르발스 에픽성장법에 의하여 2차원 층상물질의 기저 층 표면에 이종(異種)물질인 α-MoO3 박막을 대면적에 걸쳐 수 나노미터 두께로 균일하게 형성할 수 있다. 반데르발스 에픽성장법에 의해 형성된 α-MoO3 결정을 MoS2로 상변이하는 과정을 추가로 수행함으로써 2차원 층상물질의 기저 층 상부에서 MoS2 박막을 직접 형성할 수 있다. |
| IP 핵심 키워드 | 반데르발스 에픽성장법 |
| 종래 기술과의 차이점 | α-MoO3과 MoS2이 다양한 반도체 분야에서 이용될 수 있는 물질임에도 불구하고, 종래의 방법들로는 매우 작은 크기의 나노 시트, 나노 와이어 또는 매우 무질서한 방향성 나노 섬유만이 형성될 뿐이다. 본 기술은 대면적에서 일정한 두께로 단결정을 가지며, 결정성이 높으며 결정립의 크기가 큰 2차원 층상구조의 α-MoO3 박막 또는 MoS2 박막을 합성할 수 있는 새로운 합성법을 개발했다. |
| 사업성 또는 시장성 | α-MoO3 박막 및 MoS2 박막은 다양한 분야에서의 활용가능성을 가지므로, 본 발명의 제조방법은 아주 높은 상업적 활용도와 시장 진입 가능성을 가지는 효과가 있다. |
| IP 실현단계(TRL) | 사업화 |
| IP 거래 형태 | 협의 |
| IP 거래 희망 시기 | 협의 |
| 거래 희망 금액 | 협의 |
| IP 거래 조건 | 협의 |
α-MoO3 결정 또는 MoS2 결정을 갖는 박막의 제조 장치를 설명하기 위한 도면
