2020.09.16 23:44
| IP 명칭 | 저항 변화 메모리 소자 및 이의 제조 방법 |
|---|---|
| 권리자 | 연세대학교 산학협력단 |
| 발명자 또는 창작자 | |
| 출원번호 | 10-2017-0029899 |
| 공개번호 | |
| 등록번호 | 10-1951542 |
| 출원일 | 2017-03-09 |
| 공개일 | |
| 등록일 | 2019-02-18 |
| IP 분야 | 전자통신소자 |
| 응용 분야 및 용도 | |
| 설명 및 특징 | 본 발명의 일 실시예에 따르면, 부분적인 사방정계(orthorhombic) 결정 구조를 갖는 저항 변화 물질층을 포함함으로써, 포밍 처리를 대체할 수 있다. 또한, 상기 저항 변화 메모리 소자의 포밍 처리를 대체함으로써, 포밍처리 없이, 바로 리셋 처리가 진행될 수 있어 상기 포밍 처리에 필요한 고전압으로 인한 소자의 손상을 개선시킬 수 있고, 상기 메모리 소자의 동작 전압을 낮출 수 있으며, 차세대 메모리의 요구 조건인 저전력, 고성능 메모리 소자를 구현할 수가 있다. |
| IP 핵심 키워드 | |
| 종래 기술과의 차이점 | |
| 사업성 또는 시장성 | |
| IP 실현단계(TRL) | 사업화 |
| IP 거래 형태 | 매입 |
| IP 거래 희망 시기 | 협의 |
| 거래 희망 금액 | 협의 |
| IP 거래 조건 | 협의 |
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