2020.09.02 23:59
| IP 명칭 | 가변 저항체, 이를 이용한 비휘발성 메모리 장치 및 이들의 제조 방법 |
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| 권리자 | 에스케이하이닉스 주식회사ㆍ 고려대학교 산학협력단 |
| 발명자 또는 창작자 | |
| 출원번호 | 10-2011-0126388 |
| 공개번호 | |
| 등록번호 | 10-1969166 |
| 출원일 | 2011-11-29 |
| 공개일 | |
| 등록일 | 2019-04-09 |
| IP 분야 | 전자통신소자 |
| 응용 분야 및 용도 | |
| 설명 및 특징 | 본 발명의 실시예들에 따르면, CdS 나노 스케일 입자들을 포함하는 가변 저 항층 내부에 초기 금속 원자 확산층을 제공함으로써, 양극성 스위칭 특성을 가지면서도 우수한 사이클 특성과 신뢰성을 갖는 가변 저항체가 제공될 수 있다. 또한, 본 발명의 다른 실시예들에 따르면, 애노드 전극과 상기 가변 저항층 사이에 확산 장벽층을 제공함으로써, 전술한 양극성 스위칭 특성의 극성이 반전된 가변 저항체가 제공될 수 있다. |
| IP 핵심 키워드 | |
| 종래 기술과의 차이점 | |
| 사업성 또는 시장성 | |
| IP 실현단계(TRL) | 사업화 |
| IP 거래 형태 | 매입 |
| IP 거래 희망 시기 | 협의 |
| 거래 희망 금액 | 협의 |
| IP 거래 조건 | 협의 |
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