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특허실용신안 STT-MRAM을 위한 CoZr 자성박막을 이용한 MT

2020.09.02 23:56

webmaster 조회 수:6

IP 명칭 비휘발성 자기 메모리 소자 
권리자 에스케이하이닉스 주식회사ㆍ 한양대학교 산학협력단 
발명자 또는 창작자  
출원번호 10-2012-0063366 
공개번호  
등록번호 10-1929583 
출원일 2012-06-13 
공개일  
등록일 2018-12-10 
IP 분야 전자통신소자 
응용 분야 및 용도  
설명 및 특징 본 발명의 실시예에 따르면, 자기 터널링 접합 내에 포함된 코발트 또는 코발트계 합금에 지르코늄이 첨가된 연자성 비정질 합금층은 상기 자기 터널링 접합의 계면에서 코발트의 확산에 대한 블록킹(blocking) 효과를 제공하여 열에 의한 계면에서의 원자간 혼합으로 인해 나타나는 자성 특성의 열화를 감소 또는 방지하여 내구성이 우수한 비휘발성 메모리 소자를 제공할 수 있다. 
IP 핵심 키워드  
종래 기술과의 차이점  
사업성 또는 시장성  
IP 실현단계(TRL) 사업화 
IP 거래 형태 매입 
IP 거래 희망 시기 협의 
거래 희망 금액 협의 
IP 거래 조건 협의 

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