2020.09.02 23:34
| IP 명칭 | 3차원 비휘발성 메모리 장치 및 이의 제조 방법 |
|---|---|
| 권리자 | 서울대학교산학협력단 |
| 발명자 또는 창작자 | |
| 출원번호 | 10-2011-0061665 |
| 공개번호 | |
| 등록번호 | 10-1297088 |
| 출원일 | 2011-06-24 |
| 공개일 | |
| 등록일 | 2013-08-09 |
| IP 분야 | 전자통신소자 |
| 응용 분야 및 용도 | |
| 설명 및 특징 | 본 발명의 실시예에 따른 비휘발성 메모리 장치에 따르면, 채널막과 이의 전기적 도전성을 제어하기 위한 제어게이트 전극에 의해 비트라인과 같은 신호 라인으로 구성하여, 3차원으로 배열된 비휘발성 메모리 셀들에 다이오드와 같은 정류 소자를 결합하지 않아도 인접 메모리 셀들 사이의 크로스톡을 방지할 수 있으므로, 고집적화된 3차원 비휘발성 메모리 장치가 제공될 수 있다. |
| IP 핵심 키워드 | |
| 종래 기술과의 차이점 | |
| 사업성 또는 시장성 | |
| IP 실현단계(TRL) | 사업화 |
| IP 거래 형태 | 매입 |
| IP 거래 희망 시기 | 협의 |
| 거래 희망 금액 | 협의 |
| IP 거래 조건 | 협의 |
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