2020.09.02 23:28
| IP 명칭 | 3차원 비휘발성 메모리 장치 및 이의 제조 방법 |
|---|---|
| 권리자 | 서울대학교산학협력단 |
| 발명자 또는 창작자 | |
| 출원번호 | 10-2011-0056207 |
| 공개번호 | |
| 등록번호 | 10-1331859 |
| 출원일 | 2011-06-10 |
| 공개일 | |
| 등록일 | 2013-11-15 |
| IP 분야 | 전자통신소자 |
| 응용 분야 및 용도 | |
| 설명 및 특징 | 본 발명의 실시예에 따른 3차원 비휘발성 메모리 장치에 따르면, 라인 형태의 복수의 도전성 라인들과 평면 형태의 복수의 도전성 평판들을 교차시켜메모리 셀을 정의함으로써, 크로스 바 타입의 3차원 어레이 구조를 제공할 수 있다. 그에 따라, 4F2까지 3차원 메모리 셀 어레이의 디자인이 가능하여, 간단한 구조를 가지면서도 고집적화가 가능한 3차원 비휘발성 메모리 장치가 제공될 수 있다. |
| IP 핵심 키워드 | |
| 종래 기술과의 차이점 | |
| 사업성 또는 시장성 | |
| IP 실현단계(TRL) | 사업화 |
| IP 거래 형태 | 매입 |
| IP 거래 희망 시기 | 협의 |
| 거래 희망 금액 | 협의 |
| IP 거래 조건 | 협의 |
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