2020.09.02 07:12
| IP 명칭 | 산화물 박막 트랜지스터 |
|---|---|
| 권리자 | 서울대학교산학협력단 |
| 발명자 또는 창작자 | - |
| 출원번호 | 10-2008-0109060 |
| 공개번호 | - |
| 등록번호 | 10-1023338 |
| 출원일 | 2008-11-04 |
| 공개일 | 2010-05-13 |
| 등록일 | 2011-03-10 |
| IP 분야 | 전자통신소자 |
| 응용 분야 및 용도 | |
| 설명 및 특징 | 본 발명은 주석(Sn)과, 알루미늄(Al), 마그네슘(Mg) 및 타이타늄(Ti) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 산화물 박막을 이용한 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 박막 트랜지스터는 주석(Sn)과 알루미늄(Al), 마그네슘(Mg) 및 타이타늄(Ti) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 산화물로 형성된 활성층 상기 활성층 상에 배치되는 게이트 절연막을 통하여 상기 활성층의 적어도 일부와 중첩되는 게이트 도전막 및 상기 게이트 도전막에 의해 이격된 상기 활성층의 양 측부들에 각각 접속되는 소오스 및 드레인 전극들을 포함한다. |
| IP 핵심 키워드 | |
| 종래 기술과의 차이점 | |
| 사업성 또는 시장성 | |
| IP 실현단계(TRL) | 아이디어 단계 |
| IP 거래 형태 | |
| IP 거래 희망 시기 | 상시 |
| 거래 희망 금액 | 협의 |
| IP 거래 조건 | 협의 |
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